Galliumnitrid är ett III/V halvledarmaterial med ett direkt bandgap på 3,4 eV. Materialet har använts för lysdioder sedan 1990-talet. Det besitter egenskaper som hög värmekapacitet och hög värmeledningsförmåga. Transistorer av galliumnitrid kan användas vid högre temperaturer och spänningar än transistorer av galliumarsenid.

Galliumnitrid
Kristallstruktur wurtzit
Systematiskt namnGalliumnitrid
Kemisk formelGaN
Molmassa83,73 g/mol
UtseendeTransparent
CAS-nummer25617-97-4
Egenskaper
Densitet6,15 g/cm³
Smältpunkt>2500 °C
SI-enheter & STP används om ej annat angivits

Se ävenRedigera